Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"DiMarino, Christina"'
Autor:
Dimarino, Christina Marie
Electricity is the fastest-growing type of end-use energy consumption in the world, and its generation and usage trends are changing. Hence, the power electronics that control the flow and conversion of electrical energy are an important research are
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/86596
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
DiMarino, Christina Marie
This thesis provides insight into state-of-the-art 1.2 kV silicon carbide (SiC) power semiconductor transistors, including the MOSFET, BJT, SJT, and normally-on and normally-off JFETs. Both commercial and sample devices from the semiconductor industr
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/78116
http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-05142014-131824/
http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-05142014-131824/
Autor:
Lyon, Benjamin1 bejaminbpl@vt.edu, DiMarino, Christina1
Publikováno v:
Journal of Microelectronic & Electronic Packaging. 2023, Vol. 20 Issue 3, p89-94. 6p.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2020 114
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kim, Katherine A., Liu, Yunting, Butler, Stephanie Watts, Narasimhan, Sneha, Parrish, Kristen, Gebremariam, Mhret Berhe, DiMarino, Christina
Publikováno v:
IEEE Power Electronics Magazine; September 2023, Vol. 10 Issue: 3 p76-83, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lyon, Benjamin, DiMarino, Christina
Publikováno v:
Advancing Microelectronics; 2024, Vol. 51 Issue 2, p24-31, 8p