Zobrazeno 1 - 10
of 117
pro vyhledávání: '"Dholabhai, Pratik P."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 014207 (2019)
Interstitial defects are inevitably present in doped semiconductors that enable modern-day electronic, optoelectronic or thermoelectric technologies. Understanding of stability of interstitials and their bonding mechanisms in the silicon lattice was
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.00217
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Santos, Zackary, Dholabhai, Pratik P.
Publikováno v:
In Computational Materials Science 15 June 2021 194
Publikováno v:
Physica B 403, 4269 (2008)
In our continuing attempts to understand theoretically various surface properties such as corrosion and potential catalytic activity of actinide surfaces in the presence of environmental gases, we report here the first ab initio study of molecular ad
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0910.3335
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of the European Ceramic Society October 2017 37(13):4043-4050
Publikováno v:
In Surface Science July 2016 649:138-145
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.