Zobrazeno 1 - 10
of 533
pro vyhledávání: '"Device degradation"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 149940-149951 (2020)
In the field of high voltage level applications, modular multi-level converter (MMC) has the definite advantages of low power loss and modularity and there have been many studies on its reliability. Some researches focus on the degradation of physica
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f72cfe1146f541f0a0bcd9886eca1e9c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics; Volume 12; Issue 13; Pages: 2939
In this paper, we experimentally investigate the effects of degradation observed on 0.15-µm GaN HEMT devices when operating under realistic power amplifier conditions. The latter will be applied to the devices under test (DUT) by exploiting a low-fr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::43b1c40413020c0110dc759203c2d44b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 10, p 2628 (2020)
We present a detailed study of dynamic switching instability and static reliability of a Gallium Nitride (GaN) Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistor (MIS-HEMT) based cascode switch under off-state (negative bias) Gate bias s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49250c68f0514e8baa27d6c83c011ca6