Schottky barriers for Pt on 6H-and 4H-SiC (0001), (000(1)over-bar), (1(1)over-bar00) and (1(2)over-bar10) faces measured by I-V, C-V and internal photoemission

Autor: Shigiltchoff, O, Kimoto, T, Hobgood, D, Neudeck, PG, Porter, LM, Devaty, RP, Choyke, WJ

Publikováno v: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS. :921-924

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::631f6e15d127f3334b83b5eaacab046c
http://hdl.handle.net/2433/8876

Interface defects in n-type 3C-SiC/SiO2: An EPR study of oxidized porous silicon carbide single crystals

Autor: von Bardeleben, Jurgen, Cantin, Jean-Louis, Ke, L, Shishkin, Y, Devaty, Rp, Choyke, Wj

Publikováno v: 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Aug 2004, Bologna, Unknown Region. pp.273-276

International audience; The defects at the 3C-SiC/SiO2 interface have been studied by X-band EPR spectroscopy in oxidized porous 3C-SiC. One interface defect is detected; its spin Hamiltonian parameters, spin S=1/2, C-3V symmetry, g(//)=2.00238 and g

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2417::05953e69aa0e4386ea149caaed20d81f
https://hal.science/hal-01288832

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.