Zobrazeno 1 - 10 of 73 pro vyhledávání: '"Devaty, R. P."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Surface polishing by electrochemical etching of p-type 4H SiC.
Autor: Ke, Y., Yan, F., Devaty, R. P., Choyke, W. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep2009, Vol. 106 Issue 6, p064901-1-064901-7, 7p, 3 Diagrams, 3 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Electronic states of chemically treated SiC surfaces.
Autor: Nie, Shu, Feenstra, R. M., Ke, Y., Devaty, R. P., Choyke, W. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan2008, Vol. 103 Issue 1, p013709, 8p, 3 Diagrams, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effect of the Schottky barrier height on the detection of midgap levels in 4H-SiC by deep level transient spectroscopy.
Autor: Reshanov, S. A., Pensl, G., Danno, K., Kimoto, T., Hishiki, S., Ohshima, T., Itoh, H., Yan, Fei, Devaty, R. P., Choyke, W. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec2007, Vol. 102 Issue 11, p113702, 5p, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Fabrication and morphology of porous p-type SiC.
Autor: Shishkin, Y., Ke, Y., Devaty, R. P., Choyke, W. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/2005, Vol. 97 Issue 4, p044908, 5p, 3 Black and White Photographs, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Photoelectrochemical etching of n-type 4H silicon carbide.
Autor: Shishkin, Y., Choyke, W. J., Devaty, R. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/2004, Vol. 96 Issue 4, p2311-2322, 12p, 7 Black and White Photographs, 6 Diagrams, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Enhanced carrier diffusion lengths and photon transport in AlxGa1-x As/GaAs structures.
Autor: Bradshaw, J. L., Choyke, W. J., Devaty, R. P., Messham, R. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1990, Vol. 67 Issue 3, p1483, 9p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Cathodoluminescence of AlN–GaN short period superlattices.
Autor: MacMillan, M. F., Clemen, L. L., Devaty, R. P., Choyke, W. J., Asif Khan, M., Kuznia, J. N., Krishnankutty, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1996, Vol. 80 Issue 4, p2378, 5p, 2 Diagrams, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Infrared reflectance of AlN–GaN short period superlattice films.
Autor: MacMillan, M. F., Devaty, R. P., Choyke, W. J., Khan, M. Asif, Kuznia, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1996, Vol. 80 Issue 4, p2372, 6p, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Infrared reflectance of thick p-type porous SiC layers.
Autor: MacMillan, M. F., Devaty, R. P., Choyke, W. J., Goldstein, D. R., Spanier, J. E., Kurtz, A. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1996, Vol. 80 Issue 4, p2412, 8p, 1 Black and White Photograph, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje