High-frequency response and thermal effects in GaN diodes and transistors: modeling and experimental characterization

Autor: Héctor Sánchez Martín

Publikováno v: GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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GREDOS: Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universidad de Salamanca (USAL)

[ES] Se han analizado diodos autoconmutantes (SSDs) y transitores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de GaN, tanto en el régimen DC como en AC, tanto desde el punto de vista experimental como de simulaciones. Las no linealidades presentes en la

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::934f9550c186960083e2ba0ee5f908de
http://hdl.handle.net/10366/144219