Zobrazeno 1 - 10
of 89
pro vyhledávání: '"Derluyn, Joff"'
Autor:
Korneychuk, Svetlana, Partoens, Bart, Guzzinati, Giulio, Ramaneti, Rajesh, Derluyn, Joff, Haenen, Ken, Verbeeck, Jo
Publikováno v:
Ultramicroscopy, Volume 189, June 2018, Pages 76-84
A technique to measure the band gap of dielectric materials with high refractive index by means of energy electron loss spectroscopy (EELS) is presented. The technique relies on the use of a circular (Bessel) aperture and suppresses Cherenkov losses
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.06173
Autor:
Meneghini, Matteo, Chowdhury, Srabanti, Derluyn, Joff, Medjdoub, Farid, Ji, Dong, Chun, Jaeyi, Kabouche, Riad, de Santi, Carlo, Zanoni, Enrico, Meneghesso, Gaudenzio
Publikováno v:
Springer Handbook of Semiconductor Devices
Massimo Rudan; Rossella Brunetti; Susanna Reggiani. Springer Handbook of Semiconductor Devices, Springer International Publishing, pp.525-578, 2023, Springer Handbooks, ⟨10.1007/978-3-030-79827-7_15⟩
Massimo Rudan; Rossella Brunetti; Susanna Reggiani. Springer Handbook of Semiconductor Devices, Springer International Publishing, pp.525-578, 2023, Springer Handbooks, ⟨10.1007/978-3-030-79827-7_15⟩
chapter 15; International audience; In the last decade, GaN has emerged as an excellent material for application in power electronics. The wide energy gap of gallium nitride (3.4 eV) enables high-temperature operation, while the large breakdown field
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4254::f35bd107f08f1a8f02ba50be2bdadd1f
https://hal.science/hal-03875409
https://hal.science/hal-03875409
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2016 66:16-21
Autor:
Fleury, Clément, Capriotti, Mattia, Rigato, Matteo, Hilt, Oliver, Würfl, Joachim, Derluyn, Joff, Steinhauer, Stephan, Köck, Anton, Strasser, Gottfried, Pogany, Dionyz
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August-September 2015 55(9-10):1687-1691
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Venkatachalam, S, Harrouche, Kathia, Grandpierron, François, Degroote, Stefan, Germain, Marianne, Derluyn, Joff, Medjdoub, F
Publikováno v:
Proceeding of IWN2022
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4254::f26a21ab1633da290bf100d7bebd2430
https://hal.science/hal-03829010
https://hal.science/hal-03829010
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Compound Semiconductor Magazine
THE ROLL-OUT of 5G is great news for GaN. It is predicted to propel the market for RF devices made from this wide bandgap semiconductor to more than $2 billion by 2024, according to the French market analyst Yole Développement. The move from 4G to 5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.