Pushing conventional SiGe HBT technology towards 'dotfive' terahertz

Autor: Chantre, A., Pascal Chevalier, Lacave, T., Avenier, G., Buczko, M., Campidelli, Y., Depoyan, L., Berthier, L., Gacquière, C.

Publikováno v: Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.21-24
Scopus-Elsevier

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::fa0a7a686061846f18e1b77b1eb8597b
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00550010

A conventional double-polysilicon FSA-SEG Si/SiGe:C HBT reaching 400 GHz fmax

Autor: Chevalier, P., Pourchon, F., Lacave, T., Avenier, G., Campidelli, Y., Depoyan, L., Troillard, G., Buczko, M., Gloria, D., Celi, D., Gaquière, Christophe, Chantre, A.

Publikováno v: Proceedings of the 2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009, 2009, Italy. pp.1-4, ⟨10.1109/BIPOL.2009.5314250⟩

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::431632ec0fdaca43f1a67f84d77ec271
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00474462

0.13μm SiGe BiCMOS technology for mm-wave applications.

Autor: Avenier, G., Chevalier, P., Troillard, G., Vandelle, B., Brossard, F., Depoyan, L., Buczko, M., Boret, S., Montusclat, S., Margain, A., Pruvost, S., Nicolson, S.T., Yau, K.H.K., Gloria, D., Dutartre, D., Voinigescu, S.P., Chantre, A.

Publikováno v: 2008 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting; 2008, p89-92, 4p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.