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pro vyhledávání: '"Deposicao de filmes finos"'
Autor:
Rodrigo Palmieri, Gabriel Vieira Soares, Fernanda Chiarello Stedile, Henri Ivanov Boudinov, Silma Alberton Corrêa, E. Pitthan
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
To minimize electrical degradation from thermal oxidation of 4H-SiC, a thin and stoichiometric SiO2 film was thermally grown, monitored by X-ray photoelectron spectroscopy. To obtain thicker films, SiO2 was deposited by sputtering. Reduction in the f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bb1017a73c1bf58a2fac9dbe7f48764c
https://doi.org/10.1149/2.008301ssl
https://doi.org/10.1149/2.008301ssl
Autor:
Rodrigues, Adriana
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Este trabalho foi dedicado à produção e caracterização de filmes nanoestruturados de ZnO, depositado pelo método CBD (Chemical Bath Deposition). Trata-se de um método atrativo por ser simples, de baixo custo, por permitir o uso de diferentes s
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/103879
Autor:
Galvão, José Ricardo
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Nesse trabalho foram estudados os efeitos da irradiação iônica em filmes de carbono amorfo hidrogenado, sem (a-C:H) e com a presença de N e F (a-C:N:H e a-C:F:H, respectivamente). Os filmes foram crescidos através da técnica de Deposição Quí
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/10434
Autor:
Lucchese, Marcia Maria
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Neste trabalho foi investigado o processo de deposição de filmes auto-sustentados de diamante por deposição química a vapor (CVD) sobre substrato de zircônia parcialmente estabilizada com ítria (Zr02 PE). O objetivo principal foi entender os m
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/8022
Autor:
Rosa, Elisa Brod Oliveira da
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), o óxido de silíc
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/2963