Zobrazeno 1 - 10
of 311
pro vyhledávání: '"Depolarization field"'
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-14 (2024)
Abstract 180 $$^\circ$$ ∘ domains walls (DWs) of head-to-head/tail-to-tail (H–H/T–T) type in ferroelectric (FE) materials are of immense interest for a comprehensive understanding of the FE attributes as well as harnessing them for new applicat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/275be169c2ec4a4598c5a56e66f1e6c5
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 988-992 (2024)
Metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor (MFMIS) FeFETs have significant potential for use in non-volatile memory applications. This is primarily due to their compatibility with CMOS technology and reliable switching characteristics. Previou
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0d41dabd5f1940ba87662a880a19bb7c
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 4, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Ferroelectric materials with remnant polarization can effectively modulate the built‐in electric field of semiconductor devices and hold great promise for the development of high‐performance self‐powered optoelectronic devices. However
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bbd6eae37a9046a8abe87e090755b963
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Riccardo Fontanini, Mattia Segatto, Marco Massarotto, Ruben Specogna, Francesco Driussi, Mirko Loghi, David Esseni Esseni
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 1202-1209 (2021)
An in–house modeling framework for Ferroelectric Tunnelling Junctions (FTJ) is here presented in details. After a precise calibration again experiments, the model is exploited for an insightful study of the design of FTJs as synaptic devices for ne
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/abff1f0ffb07401fa2146b6614938be0