Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Deng, Yexin"'
Publikováno v:
2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp5.2.1 - 5.2.4
The metal contacts on 2D black phosphorus field-effect transistor and photodetectors are studied. The metal work functions can significantly impact the Schottky barrier at the metal-semiconductor contact in black phosphorus devices. Higher metal work
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1503.07392
Autor:
Luo, Zhe, Maassen, Jesse, Deng, Yexin, Du, Yuchen, Garrelts, Richard P., Lundstrom, Mark S., Ye, Peide D., Xu, Xianfan
Publikováno v:
Nature Communications 6, 8572 (2015)
Black phosphorus has been revisited recently as a new two-dimensional material showing potential applications in electronics and optoelectronics. Here we report the anisotropic in-plane thermal conductivity of suspended few-layer black phosphorus mea
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1503.06167
Phosphorus is one of the most abundant elements preserved in earth, constructing with a fraction of ~0.1% of the earth crust. In general, phosphorus has several allotropes. The two most commonly seen allotropes, white and red phosphorus, are widely u
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1411.0056
Publikováno v:
ACS Nano, 2014, 8 (10), pp 10035-10042
Although monolayer black phosphorus (BP) or phosphorene has been successfully exfoliated and its optical properties have been explored, most of electrical performance of the devices is demonstrated on few-layer phosphorene and ultra-thin BP films. In
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.4206
Autor:
Deng, Yexin, Luo, Zhe, Conrad, Nathan J., Liu, Han, Gong, Yongji, Najmaei, Sina, Ajayan, Pulickel M., Lou, Jun, Xu, Xianfan, Ye, Peide D.
Publikováno v:
ACS Nano, 2014, 8(8), pp. 8292-8299
Phosphorene, an elemental 2D material, which is the monolayer of black phosphorus, has been mechanically exfoliated recently. In its bulk form, black phosphorus shows high carrier mobility (~10000 cm2/Vs) and a ~0.3 eV direct bandgap. Well-behaved p-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1407.3430
Autor:
Liu, Han, Si, Mengwei, Deng, Yexin, Neal, Adam T., Du, Yuchen, Najmaei, Sina, Ajayan, Pulickel M., Lou, Jun, Ye, Peide D.
Publikováno v:
ACS Nano, 8, 1031-1038 (2014)
In this article, we study the properties of metal contacts to single-layer molybdenum disulfide (MoS2) crystals, revealing the nature of switching mechanism in MoS2 transistors. On investigating transistor behavior as contact length changes, we find
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1312.5379
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Deng, Yexin
Publikováno v:
Open Access Dissertations
The current research on semiconductor device has pushed the scaling of the devices into sub-10 nanometers (nm) regime. While most of the current devices are made on silicon germanium, and III-V materials, people are looking for new materials for use
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::052877638a37c25161676223d8aae5f9
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=2141&context=open_access_dissertations
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=2141&context=open_access_dissertations
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.