Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"Deng, Tianguo"'
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells February 2020 205
Autor:
Deng, Tianguo, Gotoh, Kazuhiro, Takabe, Ryota, Xu, Zhihao, Yachi, Suguru, Yamashita, Yudai, Toko, Kaoru, Usami, Noritaka, Suemasu, Takashi
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 October 2017 475:186-191
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 August 2017 471:37-41
Autor:
Xu, Zhihao, Sato, Takuma, Benincasa, Louise, Yamashita, Yudai, Deng, Tianguo, Gotoh, Kazuhiro, Toko, Kaoru, Usami, Noritaka, Filonov, Andrew B., Migas, Dmitri B., Shohonov, Denis A., Suemasu, Takashi
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/21/2020, Vol. 127 Issue 23, p1-15, 15p, 1 Diagram, 3 Charts, 12 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Deng, Tianguo, Gotoh, Kazuhiro, Takabe, Ryota, Xu, Zhihao, Yachi, Suguru, Yamashita, Yudai, Toko, Kaoru, Usami, Noritaka, Suemasu, Takashi
Publikováno v:
Journal of crystal growth. 475:186-191
BaSi2 films were fabricated on textured Si(0 0 1) substrates that consisted of {1 1 1} facets using molecular beam epitaxy. The light-trapping effect of these films and their performance when incorporated into solar cells were measured. X-ray diffrac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::16688d818aa5ea883923d4d0c1a11300
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/43604
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/43604
Publikováno v:
Journal of crystal growth. 471:37-41
Nitrogen doped BaSi2 layers are grown on high-resistivity n-Si (1 1 1) substrates by molecular beam epitaxy using a radio-frequency nitrogen plasma. The nitrogen concentration measured by secondary ion mass spectrometry is homogeneous throughout the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::e1444627211b84d8e47ccc93cd17d597
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/43606
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/43606
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 59:SFFA08
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::6008c144f062997646c405551b03086d
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/54872
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/54872
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.