Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Deng, Shuangyan"'
Autor:
Liu, Bowen, Gu, Yi, Huang, Weiguo, Deng, Shuangyan, Wang, Songyang, Ma, Yingjie, Wang, Hongzhen, Huang, Hua, Gong, Qian, Li, Tao, Shao, Xiumei, Li, Xue, Gong, Haimei
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing October 2023 165
Autor:
Yu Chen, Jiaxiong Fang, Yingjie Ma, Xue Li, Zhu Xianliang, Xiumei Shao, Yage Liu, Tao Li, Yonggang Zhang, Yi Gu, Haimei Gong, Cheng Jifeng, Deng Shuangyan
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 28:1-11
In0.75Ga0.25As and In0.83Ga0.17As 320×256 short-wave infrared focal plane arrays (SWIR FPAs) with pixel pitches of 24 and 30 μm, extended cutoff wavelengths of 2.2 and 2.5 μm, low dark current densities of 5.2 and 21 nA/cm2, and high peak detectiv
Publikováno v:
In Infrared Physics and Technology July 2015 71:140-143
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cheng Jifeng, Deng Shuangyan, Yage Liu, Haimei Gong, Xiumei Shao, Xue Li, Yonggang Zhang, Yingjie Ma, Yi Gu, Jiaxiong Fang
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 55:1-8
By incorporating of a combined mesa cleaning of SF 6 plasma bombarding and HCl rinsing prior to the SiN x passivation, an ultra-low dark current density of 9.1 nA/cm 2 at 180 K under a reverse bias of -10 mV for 30 μm pitch In 0.83 Ga 0.17 As focal
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/21/2019, Vol. 126 Issue 3, pN.PAG-N.PAG, 8p, 2 Diagrams, 4 Charts, 4 Graphs
Autor:
Wang, Songyang, Ma, Yingjie, Liu, Yage, Wang, Hongzhen, Deng, Shuangyan, Gu, Yi, Liu, Bowen, Li, Tao, Shao, Xiumei, Li, Xue, Gong, Haimei
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics; Jun2022, Vol. 58 Issue 3, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.