Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"Demidov, E. V."'
Autor:
Yunin, P. A., Drozdov, M. N., Novikov, A. V., Shmagin, V. B., Demidov, E. V., Mikhailov, A. N., Tetelbaum, D. I., Belov, A. I.
Publikováno v:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Jun2024, Vol. 18 Issue 3, p586-593, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Drozdov, M. N.1 (AUTHOR) drm@ipm.sci-nnov.ru, Demidov, E. V.1 (AUTHOR), Drozdov, Yu. N.1 (AUTHOR), Kraev, S. A.1 (AUTHOR), Shashkin, V. I.1 (AUTHOR), Arkhipova, E. A.1 (AUTHOR), Lobaev, M. A.2 (AUTHOR), Vikharev, A. L.2 (AUTHOR), Gorbachev, A. M.2 (AUTHOR), Radishchev, D. B.2 (AUTHOR), Isaev, V. A.2 (AUTHOR), Bogdanov, S. A.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Dec2019, Vol. 64 Issue 12, p1827-1836. 10p. 4 Charts, 11 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arkhipova, E. A.1 (AUTHOR) suroveginaka@ipmras.ru, Demidov, E. V.1 (AUTHOR), Drozdov, M. N.1 (AUTHOR), Kraev, S. A.1 (AUTHOR), Shashkin, V. I.1 (AUTHOR), Lobaev, M. A.2 (AUTHOR), Vikharev, A. L.2 (AUTHOR), Gorbachev, A. M.2 (AUTHOR), Radishchev, D. B.2 (AUTHOR), Isaev, V. A.2 (AUTHOR), Bogdanov, S. A.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1348-1352. 5p.
Autor:
Demidov, E. V.1 (AUTHOR) demidov_evg@mail.ru, Grabov, V. M.1 (AUTHOR), Komarov, V. A.1 (AUTHOR), Krushelnitckii, A. N.1 (AUTHOR), Suslov, A. V.1 (AUTHOR), Suslov, M. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jun2019, Vol. 53 Issue 6, p727-731. 5p.
Autor:
Demidov, E. V.
Publikováno v:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Oct2022, Vol. 16 Issue 5, p712-719, 8p
Autor:
null A. N. Krushelnitckii, null Gerega V. A., null Suslov A. V., null Komarov V. A., null Grabov V. M., null Demidov E. V.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:123
The reasons for increasing the charge carriers concentration in thin bismuth films are discussed. The concentration was calculated on the basis of the measured electrical and galvanomagnetic coefficients at the temperature 77 K under the two-band app
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Jul2021, Vol. 15 Issue 4, p841-845, 5p