Zobrazeno 1 - 10 of 140 pro vyhledávání: '"Deline, V."'
1
Akademický článek
Transient boron diffusion in ion-implanted crystalline and amorphous silicon.
Autor: Sedgwick, T. O., Michel, A. E., Deline, V. R., Cohen, S. A., Lasky, J. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1988, Vol. 63 Issue 5, p1452, 12p, 11 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Properties of high-purity AlxGa1-xAs grown by the metalorganic vapor-phase-epitaxy technique using methyl precursors.
Autor: Kuech, T. F., Wolford, D. J., Veuhoff, E., Deline, V., Mooney, P. M., Potemski, R., Bradley, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1987, Vol. 62 Issue 2, p632, 12p, 1 Diagram, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Boron, phosphorus, and arsenic diffusion in TiSi2.
Autor: Gas, P., Deline, V., d‘Heurle, F. M., Michel, A., Scilla, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1986, Vol. 60 Issue 5, p1634, 6p, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Ion-implanted Se in GaAs.
Autor: Lidow, A., Gibbons, J. F., Deline, V. R., Evans, C. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1980, Vol. 51 Issue 8, p4130-4138, 9p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Heavy doping of GaAs and AlGaAs with silicon by molecular beam epitaxy.
Autor: Heiblum, M., Wang, W. I., Osterling, L. E., Deline, V.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1983, Vol. 54 Issue 11, p6751-6753, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Reply to ''Comment on 'A unified explanation for secondary ion yields' and 'Mechanism of the SIMS matrix effect'''.
Autor: Williams, P., Deline, V. R., Evans, C. A., Katz, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1981, Vol. 52 Issue 1, p530-532, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Effects of deposition temperature on the giant magnetoresistance of as-deposited Ag-Co thin films.
Autor: Lee, W. Y., Deline, V. R., Gorman, G., Kellock, A., Miller, D., Neiman, D., Savoy, R., Vazquez, J., Beyers, R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1993, Vol. 74 Issue 9, p5871, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje