Zobrazeno 1 - 10 of 26 pro vyhledávání: '"Delcroix, Pierre"'
1
Dissertation/ Thesis
Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité de diélectriques minces pour l'intégration dans les composants microélectroniques du futur
Autor: Delcroix, Pierre
Afin de pouvoir continuer la miniaturisation de la brique de base des circuits électroniques, le transistor MOS, l’introduction d’oxyde de grille à haute permittivité était inévitable. Un empilement de type high-k/grille métal en remplaceme
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2012GRENT080/document
Zobrazit plný text záznamu
2
Periodical
Curved CMOS imaging sensor: development and reliability test results
Autor: Minoglou, Kyriaki, Karafolas, Nikos, Cugny, Bruno, Joaquina, Kelly, Jahn, Wilfried, Struss, Quentin, Delcroix, Pierre, Renard, Marc, Cornu, Simon, Lemared, Sabri, Mehri, Tahar
Publikováno v: Proceedings of SPIE; September 2023, Vol. 12777 Issue: 1 p127776S-127776S-10, 12649835p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Ball-milling with a fluid: A powerful means for new syntheses
Autor: Guérard, Daniel, Janot, Raphaël, Ghanbaja, Jaafar, Delcroix, Pierre
Publikováno v: In Journal of Alloys and Compounds 2007 434:410-414
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Curved CMOS imaging sensor: development and reliability test results.
Autor: Joaquina, Kelly, Jahn, Wilfried, Struss, Quentin, Delcroix, Pierre, Renard, Marc, Cornu, Simon, Lemared, Sabri, Mehri, Tahar
Publikováno v: Proceedings of SPIE; 1/15/2024, Vol. 12777, p127776S-127776S-10, 1p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Caractérisation de matériaux archéologiques par spectrométrie Mössbauer
Autor: Janot, Christian, Delcroix, Pierre
Publikováno v: Ethnologie française, 1973 Jan 01. 3(1/2), 179-188.
Externí odkaz: https://www.jstor.org/stable/40988234
Zobrazit plný text záznamu
8
Study at nanoscale, using scanning probe microscopy, of thin dielectric fialibilty for futur integrated devices in microelectronic field
Autor: Delcroix, Pierre
Publikováno v: Autre. Université de Grenoble, 2012. Français. ⟨NNT : 2012GRENT080⟩
In order to continue the scaling of the MOS transistor the replacement of the gate oxide layer by a high K/Metal gate was mandatory. From a reliability point of view, the introduction of these new materials could cause a lifetime reduction. To test t
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b335ec5ba85af1aa348929702e1e7140
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00822926/file/25471_DELCROIX_2012_archivage.pdf
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje