Zobrazeno 1 - 10 of 38 pro vyhledávání: '"Delage, Sylvain L."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur
Autor: Jardel, Olivier, Quéré, Raymond, Piotrowicz, Stéphane, Bouysse, Philippe, Delage, Sylvain L., Martin, Audrey
Publikováno v: France, N° de brevet: FR3020222. 2015
Une cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur, comprend en entrée, un commutateur de courant Ti recevant le signal d'entrée de commande VIN de la cellule sur une entrée d'activation gi, et
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9f6fdb8124b0255372061de55bf348cb
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01284083
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Cl2/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers.
Autor: Aroulanda, Sébastien, Patard, Olivier, Altuntas, Philippe, Michel, Nicolas, Pereira, Jorge, Lacam, Cédric, Gamarra, Piero, Delage, Sylvain L., Defrance, Nicolas, de Jaeger, Jean-Claude, Gaquière, Christophe
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; Jul2019, Vol. 37 Issue 4, pN.PAG-N.PAG, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Modélisation Large Bande de la Dispersion Fréquentielle de la Conductance de sortie et de la Transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN
Autor: Nsele, Séraphin Dieudonné, Escotte, Laurent, Tartarin, Jean-Guy, Piotrowicz, Stéphane, Delage, Sylvain L.
Publikováno v: Journées Nationales Microondes
Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.Id263
National audience; Un modèle large bande de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie et de la transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN est présenté dans cet article. Ce modèle prend en compte tous les types de dispersion jusqu'au
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f5b554cabee58173e78017d50dddcd13
https://hal.science/hal-00860965
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje