Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Deelman, Peter W."'
Autor:
Borselli, Matthew G., Eng, Kevin, Ross, Richard S., Hazard, Thomas M., Holabird, Kevin S., Huang, Biqin, Kiselev, Andrey A., Deelman, Peter W., Warren, Leslie D., Milosavljevic, Ivan, Schmitz, Adele E., Sokolich, Marko, Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
We report on a quantum dot device design that combines the low disorder properties of undoped SiGe heterostructure materials with an overlapping gate stack in which each electrostatic gate has a dominant and unique function -- control of individual q
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.0600
Autor:
Borselli, Matthew G., Eng, Kevin, Croke, Edward T., Maune, Brett M., Huang, Biqin, Ross, Richard S., Kiselev, Andrey A., Deelman, Peter W., Alvarado-Rodriguez, Ivan, Schmitz, Adele E., Sokolich, Marko, Holabird, Kevin S., Hazard, Thomas M., Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 99, 063109 (2011)
We demonstrate double quantum dots fabricated in undoped Si/SiGe heterostructures relying on a double top-gated design. Charge sensing shows that we can reliably deplete these devices to zero charge occupancy. Measurements and simulations confirm tha
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1106.6285
Autor:
Borselli, Matthew G., Ross, Richard S., Kiselev, Andrey A., Croke, Edward T., Holabird, Kevin S., Deelman, Peter W., Warren, Leslie D., Alvarado-Rodriguez, Ivan, Milosavljevic, Ivan, Ku, Fiona C., Wong, Wah S., Schmitz, Adele E., Sokolich, Marko, Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 98, 123118 (2011)
We have demonstrated few-electron quantum dots in Si/SiGe and InGaAs, with occupation number controllable from N = 0. These display a high degree of spatial symmetry and identifiable shell structure. Magnetospectroscopy measurements show that two Si-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.1363
Autor:
Hayes, Robert R., Kiselev, Andrey A., Borselli, Matthew G., Bui, Steven S., Croke III, Edward T., Deelman, Peter W., Maune, Brett M., Milosavljevic, Ivan, Moon, Jeong-Sun, Ross, Richard S., Schmitz, Adele E., Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
We have observed the Zeeman-split excited state of a spin-1/2 multi-electron Si/SiGe depletion quantum dot and measured its spin relaxation time T1 in magnetic fields up to 2 T. Using a new step-and-reach technique, we have experimentally verified th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.0173
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Transactions; August 2016, Vol. 75 Issue: 8 p551-560, 10p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2000 Part 2, Issue 1, p462-466, 5p