Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Dedic, Vaclav"'
Autor:
Dedic, Vaclav, Sanitrak, Jakub, Fridrisek, Tomas, Rejhon, Martin, Morzhuk, Bohdan, Shestopalov, Mykhailo, Kunc, Jan
In this paper, we introduce a method for mapping profiles of internal electric fields in birefringent crystals based on the electro-optic Pockels effect and measuring phase differences of low-intensity polarized light. In the case of the studied 6H-S
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.10558
Autor:
Shestopalov, Mykhailo, Dědič, Václav, Rejhon, Martin, Morzhuk, Bohdan, Paingad, Vaisakh C., Mohelský, Ivan, Mardelé, Florian Le, Kužel, Petr, Orlita, Milan, Kunc, Jan
We investigate the origin of the translational symmetry breaking in epitaxially grown single-layer graphene. Despite the surface morphology of homogeneous graphene films influenced by the presence of mutually parallel SiC surface terraces, the far-in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.09007
We propose and experimentally verify two methods to scale arbitrary units to photocurrent spectral density (A/eV) in Fourier Transform Photocurrent (FTPC) spectroscopy. We also propose the FTPC scaling to responsivity (A/W), provided a narrow-band op
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.08587
Publikováno v:
In Optical Materials September 2023 143
Autor:
Dědič, Václav, Franc, Jan, Moravec, Pavel, Zázvorka, Jakub, Grill, Roman, Šíma, Vladimír, Cieslar, Miroslav, Roy, Utpal, James, Ralph B.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing July 2023 161
Autor:
Dědič, Václav, Franc, Jan, Moravec, Pavel, Grill, Roman, Elhadidy, Hassan, Šíma, Vladimír, Cieslar, Miroslav, Roy, Utpal N., James, Ralph B.
Publikováno v:
In Materials Today Communications March 2023 34
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 9, 054020 (2018)
We have modeled laser-induced transient current waveforms in radiation coplanar grid detectors. Poisson's equation has been solved by finite element method and currents induced by photo-generated charge were obtained using Shockley-Ramo theorem. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1702.00212
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 8, 044011 (2017)
In recent years, graphene growth optimization has been one of the key routes towards large-scale, high-quality graphene production. We have measured in-situ residual gas content during epitaxial graphene growth on silicon carbide (SiC) to find detrim
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.02033
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.