Zobrazeno 1 - 10
of 715
pro vyhledávání: '"Decoutere, S."'
Autor:
Favero, D., De Santi, C., Mukherjee, K., Borga, M., Geens, K., Chatterjee, U., Bakeroot, B., Decoutere, S., Rampazzo, F., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.
For the development of reliable vertical GaN transistors, a detailed analysis of the robustness of the gate stack is necessary, as a function of the process parameters and material properties. To this aim, we report a detailed analysis of breakdown p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.10558
Autor:
Mukherjee, K., De Santi, C., You, S., Geens, K., Borga, M., Decoutere, S., Bakeroot, B., Diehle, P., Altmann, F., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 120, 143501 (2022)
Developing high quality GaN/dielectric interfaces is a fundamental step for manufacturing GaN vertical power transistors. In this paper, we quantitatively investigate the effect of planar etching treatment and trench formation on the performance of G
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2207.09948
Autor:
Ruzzarin, M., Geens, K., Borga, M., Liang, H., You, S., Bakeroot, B., Decoutere, S., De Santi, C., Neviani, A., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.
Publikováno v:
Volume 114, November 2020, 113828
The aim of this work is to present the optimization of the gate trench module for use in vertical GaN devices in terms of cleaning process of the etched surface of the gate trench, thickness of gate dielectric and magnesium concentration of the p-GaN
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.00939
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Modolo, N., Fregolent, M., Masin, F., Benato, A., Bettini, A., Buffolo, M., De Santi, C., Borga, M., Posthuma, N., Bakeroot, B., Decoutere, S., Vogrig, D., Neviani, A., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2022 138
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ruzzarin, M., Geens, K., Borga, M., Liang, H., You, S., Bakeroot, B., Decoutere, S., De Santi, C., Neviani, A., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2020 114
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2020 114
Autor:
Borga, M., Meneghini, M., Stoffels, S., Van Hove, M., Zhao, M., Li, X., Decoutere, S., Zanoni, E., Meneghesso, G.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:584-588
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.