Zobrazeno 1 - 10
of 165
pro vyhledávání: '"DePetro, A."'
Autor:
Balestra, Luigi, Cirioni, Leonardo, Cavallini, Andrea, Reggiani, Susanna, Rossetti, Mattia, Gallo, Michele, Guarnera, Simone, Depetro, Riccardo
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2023 208
Autor:
Giuliano, Federico, Reggiani, Susanna, Gnani, Elena, Gnudi, Antonio, Rossetti, Mattia, Depetro, Riccardo
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Autor:
Giuliano, Federico, Reggiani, Susanna, Gnani, Elena, Gnudi, Antonio, Rossetti, Mattia, Depetro, Riccardo, Croce, Giuseppe
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2022 192
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2021 185
Autor:
Giuliano, Federico, Magnone, Paolo, Pistollato, Simone, Tallarico, Andrea Natale, Reggiani, Susanna, Fiegna, Claudio, Depetro, Riccardo, Rossetti, Mattia, Croce, Giuseppe
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability June 2020 109
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Reggiani, S., Rossetti, M., Gnudi, A., Tallarico, A.N., Molfese, A., Manzini, S., Depetro, R., Croce, G., Sangiorgi, E., Fiegna, C.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:1090-1093
Autor:
Andrea Natale Tallarico, Susanna Reggiani, Riccardo Depetro, Andrea Mario Torti, Giuseppe Croce, Enrico Sangiorgi, Claudio Fiegna
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 219-226 (2018)
In this paper, we present an analysis of the degradation induced by hot-carrier stress in new generation power lateral double-diffused MOS (LDMOS) transistors. Two architectures with the same nominal voltage and comparable performance featuring a sel
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1545a4b31b074714aba5c92606e5f508
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tallarico, A.N., Reggiani, S., Magnone, P., Croce, G., Depetro, R., Gattari, P., Sangiorgi, E., Fiegna, C.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:475-479