Zobrazeno 1 - 9 of 9 pro vyhledávání: '"DeKeersmaecker, R. F."'
1
Akademický článek
Electron trapping and detrapping characteristics of arsenic-implanted SiO2 layers.
Autor: DeKeersmaecker, R. F., DiMaria, D. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1980, Vol. 51 Issue 2, p1085-1101, 17p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Hole trapping in the bulk of SiO2 layers at room temperature.
Autor: DeKeersmaecker, R. F., DiMaria, D. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1980, Vol. 51 Issue 1, p532-539, 8p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Centroid location of implanted ions in the SiO2 layer of MOS structures using the photo I-V technique).
Autor: DiMaria, D. J., Young, D. R., DeKeersmaecker, R. F., Hunter, W. R., Serrano, C. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1978, Vol. 49 Issue 11, p5441-5444, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Light-activated storage device (LASD).
Autor: DiMaria, D. J., DeKeersmaecker, R. F., Young, D. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1978, Vol. 49 Issue 9, p4655-4659, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Electron spin resonance study of defects in Si-SiO2 structures induced by As+ ion implantation.
Autor: Stesmans, A., Braet, J., Witters, J., DeKeersmaecker, R. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1984, Vol. 55 Issue 6, p1551-1557, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Periodical
Centroid location of implanted ions in the SiO2layer of MOS structures using the photo I‐Vtechnique)
Autor: DiMaria, D. J., Young, D. R., DeKeersmaecker, R. F., Hunter, W. R., Serrano, C. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; November 1978, Vol. 49 Issue: 11 p5441-5444, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
Hole trapping in the bulk of SiO2layers at room temperature
Autor: DeKeersmaecker, R. F., DiMaria, D. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; January 1980, Vol. 51 Issue: 1 p532-539, 8p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Electron spin resonance study of defects in Si‐SiO2structures induced by As+ion implantation
Autor: Stesmans, A., Braet, J., Witters, J., DeKeersmaecker, R. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; March 1984, Vol. 55 Issue: 6 p1551-1557, 7p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Trap generation and electron detrapping in SiO2 during high-field stressing of metal-oxide-semiconductor structures.
Autor: Heyns, M. M., DeKeersmaecker, R. F., Hillen, M. W.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1984, Vol. 44 Issue 2, p202-204, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje