Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"De Lépinau, Romaric"'
Autor:
Chen, Hung-Ling, De Lépinau, Romaric, Scaccabarozzi, Andrea, Oehler, Fabrice, Harmand, Jean-Christophe, Cattoni, Andrea, Collin, Stéphane
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 15, 024007 (2021)
Precise control of doping in single nanowires (NWs) is essential for the development of NW-based devices. Here, we investigate a series of MBE-grown GaAs NWs with Be (p-type) and Si (n-type) doping using high-resolution cathodoluminescence (CL) mappi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.05602
Autor:
Chen, Hung-Ling, Scaccabarozzi, Andrea, De Lépinau, Romaric, Oehler, Fabrice, Lemaître, Aristide, Harmand, Jean-Christophe, Cattoni, Andrea, Collin, Stéphane
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 15, 024006 (2021)
Doping is a fundamental property of semiconductors and constitutes the basis of modern microelectronic and optoelectronic devices. Their miniaturization requires contactless characterization of doping with nanometer scale resolution. Here, we use low
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.05598
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tong, Capucine, Delamarre, Amaury, De Lépinau, Romaric, Scaccabarozzi, Andrea, Oehler, Fabrice, Harmand, Jean-Christophe, Collin, Stéphane, Cattoni, Andrea
Publikováno v:
Nanoscale; 9/21/2022, Vol. 14 Issue 35, p12722-12735, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Hung-Ling, Scaccabarozzi, Andrea, de Lépinau, Romaric, Oehler, Fabrice, Lemaître, Aristide, Harmand, Jean-Christophe, Cattoni, Andrea, Collin, Stéphane
Supplemental Material; Doping is a fundamental property of semiconductors and constitutes the basis of modern microelectronic and optoelectronic devices. Their miniaturization requires contactless characterization of doping with nanometer scale resol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bfcdbe5bb8018c285d73cdaa340910b8
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02411466
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02411466
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.