Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"De Araujo, Carlos A. Paz"'
The physics of the Mott transition in the anodic region of NiO Resistance Random Access Memory (RRAM) is discussed from the Hubbard model. The Hubbard approximation is examined in details and it is shown that the Wannier functions in the definition o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1006.5759
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; May2011, Vol. 109 Issue 9, p091608, 6p, 3 Diagrams, 8 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; May2011, Vol. 109 Issue 9, p091602, 6p, 3 Diagrams, 4 Graphs
Publikováno v:
International Journal of Numerical Modelling. Dec91, Vol. 4 Issue 4, p301-320. 20p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Emerging Non-Volatile Memories; 2014, p3-35, 33p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.