Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"Dayen, Jean‐François"'
Autor:
Ram, Ankita, Maity, Krishna, Marchand, Cédric, Mahmoudi, Aymen, Kshirsagar, Aseem Rajan, Soliman, Mohamed, Taniguchi, Takashi, Watanabe, Kenji, Doudin, Bernard, Ouerghi, Abdelkarim, Reichardt, Sven, O'Connor, Ian, Dayen, Jean-Francois
In this work, we demonstrate the suitability of Reconfigurable Ferroelectric Field-Effect- Transistors (Re-FeFET) for designing non-volatile reconfigurable logic-in-memory circuits with multifunctional capabilities. Modulation of the energy landscape
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.14648
Autor:
Pandey, Satakshi, Hettler, Simon, Arenal, Raul, Bouillet, Corinne, Moghe, Aditi Raman, Berciaud, Stephane, Robert, Jerome, Dayen, Jean Francois, Halley, David
We show that thin layers of EuO, a ferromagnetic insulator, can be achieved by topotactic reduction under titanium of a Eu2O3 film deposited on top of a graphene template. The reduction process leads to the formation of a 7-nm thick EuO smooth layer,
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.00892
Autor:
Kremer, Geoffroy, Mahmoudi, Aymen, M'Foukh, Adel, Bouaziz, Meryem, Rahimi, Mehrdad, Della Rocca, Maria Luisa, Fèvre, Patrick Le, Dayen, Jean-Francois, Bertran, François, Matzen, Sylvia, Pala, Marco, Chaste, Julien, Oehler, Fabrice, Ouerghi, Abdelkarim
Two-dimensional (2D) ferroelectric (FE) materials are promising compounds for next-generation nonvolatile memories, due to their low energy consumption and high endurance. Among them, {\alpha}-In$_{2}$Se$_{3}$ has drawn particular attention due to it
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.04864
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Godel, Florian, Mouafo, Louis Donald Notemgnou, Froehlicher, Guillaume, Doudin, Bernard, Berciaud, Stephane, Henry, Yves, Dayen, Jean-Francois, Halley, David
Publikováno v:
First published 21 November 2016 in Advanced Materials
Large assemblies of self-organized aluminum nanoclusters embedded in an oxide layer are formed on graphene templates and used to build tunnel-junction devices. Unexpectedly, single-electron-transport behavior with well-defined Coulomb oscillations is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.00067
Autor:
Trapali, Adelais, Muppal, Mukil, Pandey, Satakshi, Boillot, Marie-Laure, Repain, Vincent, Dappe, Yannick J., Dayen, Jean-François, Riviεave;re, Eric, Guillot, Régis, Arrio, Marie-Anne, Otero, Edwige, Bellec, Amandine, Mallah, Talal
Publikováno v:
Dalton Transactions: An International Journal of Inorganic Chemistry; 8/14/2024, Vol. 53 Issue 30, p12519-12526, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.