Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"David M. Richey"'
Autor:
David L. Harame, David M. Richey, Emmanuel F. Crabbe, John D. Cressler, James H. Comfort, Alvin J. Joseph, Johannes M. C. Stork
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
We present the first measurements of silicon-generated (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBT) in the liquid-helium temperature regime. We have measured the dc characteristics of SiGe HBTs from two different profile designs over the temperatu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df35ddad8cbf36822bea19b033f94c1b
https://doi.org/10.1117/12.178491
https://doi.org/10.1117/12.178491
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.