Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"David E. Tetzlaff"'
Autor:
J.J. Stronczer, D.E. Grider, Thomas E. Nohava, Jim Nohava, P.P. Ruden, I.R. Mactaggart, David E. Tetzlaff, D. Fulkerson
Publikováno v:
[1991] GaAs IC Symposium Technical Digest.
Delta-doped pseudomorphic In/sub y/Ga/sub 1-y/As channel complementary heterostructure insulated gate field effect transistor (C-HIGFET) technology has been developed for LSI complementary circuits which exhibit extremely low power dissipation while
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11530ee0e8bb30b70283ae950a0f0060
https://doi.org/10.1109/gaas.1991.172636
https://doi.org/10.1109/gaas.1991.172636
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.