Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"David B. Slater"'
Autor:
James Ibbetson, K. L. Bunker, Phil Russel, Michael Leung, Jayesh Bharathan, David B. Slater, Amber C. Abare, Kevin Haberern, Dave Emerson, John Adam Edmond, Mike Bergman
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 272:242-250
Group III-nitride layers have been grown via metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) on single crystal-silicon carbide (SiC) substrates and fabricated into light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs). Deep ultraviolet (UV) LEDs from 321 to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d2f338871667636a43496cd6d28b12b1
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.08.056
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.08.056
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The monolithic integration of complementary AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) has been accomplished using selective MOVPE to regrow an Npn HBT on a Pnp HBT waler. A non-self- aligned mesa process was used in fabricating the transi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3597361d1f8a2d6e83c1ef771b29bbb6
https://doi.org/10.1117/12.20910
https://doi.org/10.1117/12.20910
Autor:
David B. Slater, John J. Paulos
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 135:3098-3103
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3b059af43ed5f47410abdb3bb60275f1
https://doi.org/10.1149/1.2095509
https://doi.org/10.1149/1.2095509
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.