Zobrazeno 1 - 10
of 362
pro vyhledávání: '"David, H L"'
Autor:
Yuefei Yang, Robert J. Bayruns, David H.-L. Wang, David Rasbot, Ricardo Soligo, Joseph Brand, David Osika, Dheeraj Mohata, John Bayruns
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 32:506-512
Type-I (straddled) InP DHBT devices have been fabricated to study the impact of different base-collector junction transition layer designs on the collector to emitter breakdown behavior, breakdown voltage, BVceo and the device output performance such
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab5c0e5afad3f95b5aed197827cdeac7
https://doi.org/10.1109/tsm.2019.2932962
https://doi.org/10.1109/tsm.2019.2932962
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thomas, David H. L.
Publikováno v:
Geography, 1996 Oct 01. 81(4), 395-400.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/40546279
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chao-Sung Lai, Hao-Jan Chen, Wun Wang, David H.-L. Wang, Yun-Zong Tian, Chung-Yuan Lee, Yaw-Wen Hu, Chia-Ming Yang
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 13:66-72
Model-based infrared reflectometry (MBIR) is a novel nondestructive technology which has been introduced for fast-response in-line monitoring of deep-trench dynamic random access memory (DRAM). However, for mainstream stack DRAM, MBIR application is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb1d077ae82bd993807c9cd33794a7d9
https://doi.org/10.1109/tdmr.2012.2211875
https://doi.org/10.1109/tdmr.2012.2211875
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 25:657-663
The dependence of dynamic random access memory (DRAM) device performance on trench and stack cell structures was first observed by changing the process position of passivation annealing. For the trench DRAM, the data retention fail bit counts (FBCs)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b078ce2e4035f1e4e10f10d415c73ad5
https://doi.org/10.1109/tsm.2012.2206062
https://doi.org/10.1109/tsm.2012.2206062