Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Dave Venables"'
A Low‐Thermal‐Budget In Situ Doped Multilayer Silicon Epitaxy Process for MOSFET Channel Engineering
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 146:1189-1196
This paper describes an in situ boron‐doped, multilayer epitaxial silicon process that can be used to obtain doping profiles for channels in the deep‐submicron regime. We have extensively studied lightly doped channel structures in which an intri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab1ae39db0144312e9cbe1d1aaac5994
https://doi.org/10.1149/1.1391744
https://doi.org/10.1149/1.1391744
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.