Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Datye, Isha"'
Publikováno v:
Nano Letters (2022)
Strain engineering is an important method for tuning the properties of semiconductors and has been used to improve the mobility of silicon transistors for several decades. Recently, theoretical studies have predicted that strain can also improve the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.03950
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Koepke, Justin C., Wood, Joshua D., Carrion, Enrique A., Schmucker, Scott W., Chen, Yaofeng, Hewaparakrama, Jayan, Rangarajan, Aniruddh, Datye, Isha, Mehta, Rushabh, Liu, Ximeng, Chang, Noel N., Nienhaus, Lea, Haasch, Richard T., Gruebele, Martin, Girolami, Gregory S., Pop, Eric, Lyding, Joseph W.
We analyze the optical, chemical, and electrical properties of chemical vapor deposition (CVD) grown hexagonal boron nitride (h-BN) using the precursor ammonia-borane ($H_3N-BH_3$) as a function of $Ar/H_2$ background pressure ($P_{TOT}$). Films grow
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1605.06861
Autor:
Wood, Joshua D., Doidge, Gregory P., Carrion, Enrique A., Koepke, Justin C., Kaitz, Joshua A., Datye, Isha, Behnam, Ashkan, Hewaparakrama, Jayan, Aruin, Basil, Chen, Yaofeng, Dong, Hefei, Haasch, Richard T., Lyding, Joseph W., Pop, Eric
Publikováno v:
Nanotechnology 26, 055302 (2015)
We examine the transfer of graphene grown by chemical vapor deposition (CVD) with polymer scaffolds of poly(methyl methacrylate) (PMMA), poly(lactic acid) (PLA), poly(phthalaldehyde) (PPA), and poly(bisphenol A carbonate) (PC). We find that optimally
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1501.02884
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Datye, Isha M., Vaziri, Sam, Ambrosi, Elia, Khan, Asir Intisar, Kwon, Heungdong, Wu, Cheng-Hsien, Hsu, Chen-Feng, Guy, Jeremy, Lee, Tung-Ying, Wong, H.-S. Philip, Bao, Xinyu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2024, Vol. 71 Issue: 1 p530-535, 6p
Publikováno v:
Nano Letters; 10/26/2022, Vol. 22 Issue 20, p8052-8059, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.