Zobrazeno 1 - 10
of 115
pro vyhledávání: '"Date, L"'
Autor:
Breuil, L., Van den bosch, G., Cacciato, A., Date, L., Kar, G.S., Tang, B., Arreghini, A., Debusschere, I., Van Houdt, J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1164-1167
Autor:
Rothschild, A., Mitsuhashi, R., Kerner, C., Shi, X., Everaert, J.L., Date, L., Conard, T., Richard, O., Vrancken, C., Verbeeck, R., Veloso, A., Lauwers, A., De Potter, M., Debusschere, I., Jurczak, M., Niwa, M., Absil, P., Biesemans, S.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2007 47(4):521-524
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology September 1999 116-119:1042-1048
Autor:
Cubaynes, F.N., Schmitz, J., van der Marel, C., Snijders, J.H.M., Veloso, A., Rothschild, A., Olsen, C., Date, L., Sah, Ram Ekwal
Publikováno v:
Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films VII: Proceedings of the International Symposium, 2, 595-604
The work investigates the impact of plasma nitridation process parameters upon the physical properties and upon the electrical performance of sub-15 A plasma nitrided gate dielectrics. The nitrogen distribution and chemical bonding of ultra-thin plas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::8d7d224c12055c70a677a3c973b48dbf
https://research.utwente.nl/en/publications/plasma-nitridation-optimization-for-sub15-a-gate-dielectrics(6a7d1bd5-d8d7-4400-b70f-a7021a362cb4).html
https://research.utwente.nl/en/publications/plasma-nitridation-optimization-for-sub15-a-gate-dielectrics(6a7d1bd5-d8d7-4400-b70f-a7021a362cb4).html
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
18th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP), 2010; 2010, p166-170, 5p