Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"Danko, V"'
Autor:
Mandelbaum, H, Schwarz, S, Denis, L, Reisinger, C, Wachter, F, Nedoschill, E, Bühler, A, Danko, V, Nuñez, F B, Dürr, N R, Schlunz-Hendann, M, Brassel, F, Felderhoff-Müser, U, Wölfle, J, Jüngert, J, Dohna-Schwake, C, Bruns, N, Rompel, O, Regensburger, A P, Couture, O
Publikováno v:
RöFo: Fortschritte auf dem Gebiet der Röntgenstrahlen und der Bildgebenden Verfahren; 2024 Supplement 2, Vol. 196, pS138-S139, 2p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Problems of the Regional Energetics, Vol 2012-2, Iss 2(19), Pp 42-50 (2012)
New modification of liquid-metal-polymer solar collector for solar heating and for creation of multifunctional energy systems on its basis, particularly solar refrigeration systems was developed. A comparative study of several modifications of polyme
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ca865ef5cfac413aa6f1f3040762bbac
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Danko, V. P.1,2 vladislav.danko@mail.ru, Diyanova, S. N.1 dsnemail1@rambler.ru, Abazyan, A. G.1 artak-1@yandex.ru
Publikováno v:
Journal of Applied Mechanics & Technical Physics. Jul2018, Vol. 59 Issue 4, p673-678. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 2 (2016); 143
Український фізичний журнал; Том 61 № 2 (2016); 143
Український фізичний журнал; Том 61 № 2 (2016); 143
Metal-induced crystallization in Si–Sn–Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the am
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::6b7a4952f27bb4fe1a8cf413413c4d69
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.