Zobrazeno 1 - 10
of 146
pro vyhledávání: '"Danilewsky, A. N."'
Analysis of c-lattice parameters to evaluate Na2O loss from and Na2O content in β''-alumina ceramics
Autor:
Bay, Marie-Claude, Heinz, Meike V.F., Danilewsky, Andreas N., Battaglia, Corsin, Vogt, Ulrich F.
Publikováno v:
In Ceramics International 15 May 2021 47(10) Part A:13402-13408
Autor:
Stopford, J., Henry, A., Allen, D., Bennett, N., Manessis, D., Boettcher, L., Wittge, J., Danilewsky, A. N., McNally, P. J.
Future complementary metal oxide semiconductor (CMOS) scaling for advanced integrated circuit (IC) technologies may well depend on "More than Moore" (MtM) approaches using heterogeneous integration of semiconductor-based devices. In order to realise
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1204.1466
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Crystallography
X-ray diffraction imaging in both monochromatic and white beam section mode has been used to measure quantitatively the displacement and warpage stress in encapsulated silicon devices.
Transmission X-ray diffraction imaging in both monochromatic
Transmission X-ray diffraction imaging in both monochromatic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::eceddbb5489adb99786c6413db39b167
http://europepmc.org/articles/PMC5377349
http://europepmc.org/articles/PMC5377349