Zobrazeno 1 - 10
of 1 761
pro vyhledávání: '"Daniels K."'
Autor:
Daniels K, Lanes S, Tave A, Pollack MF, Mannino DM, Criner G, Neikirk A, Rhodes K, Feigler N, Nordon C
Publikováno v:
International Journal of COPD, Vol Volume 19, Pp 225-241 (2024)
Kimberly Daniels,1 Stephan Lanes,1 Arlene Tave,1 Michael F Pollack,2 David M Mannino,3 Gerard Criner,4 Amanda Neikirk,1 Kirsty Rhodes,5 Norbert Feigler,2 Clementine Nordon5 1Safety and Epidemiology, Carelon Research, Wilmington, DE, USA; 2Global Medi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/19e2cbf1da454448be72b82fda83ae57
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nature Nanotechnology (2016)
Light absorption in graphene causes a large change in electron temperature, due to low electronic heat capacity and weak electron phonon coupling [1-3], making it very attractive as a hot-electron bolometer material. Unfortunately, the weak variation
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1509.04646
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/14/2022, Vol. 132 Issue 22, p1-11, 11p
Dryland ecosystems commonly exhibit periodic bands of vegetation, thought to form due to competition between individual plants for heterogeneously distributed water. In this paper, we develop a Fourier method for locally identifying the pattern waven
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1303.4360
We present epitaxial graphene (EG) growth on non-polar a-plane and m-plane 6H-SiC faces where material characterization is compared with that known for EG grown on polar faces. Atomic force microscopy (AFM) surface morphology exhibits nanocrystalline
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1203.0233
Autor:
Daas, B. K., Nomani, W. K., Daniels, K. M., Sudarshan, T. S., Koley, Goutam, Chandrashekhar, M. V. S.
We investigate molecular adsorption doping by electron withdrawing NO2 and electron donating NH3 on epitaxial graphene grown on C-face SiC substrates. Amperometric measurements show conductance changes upon introduction of molecular adsorbents on epi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1201.4746
We show ~10x polariton-enhanced infrared reflectivity of epitaxial graphene on 4H-SiC, in SiC's restrahlen band (8-10um). By fitting measurements to theory, we extract the thickness, N, in monolayers (ML), momentum scattering time, Fermi level positi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1010.4080