Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Dang, Phillip"'
Autor:
Lee, Kyoung-Sun, Hara, Hirohisa, Watanabe, Kyoko, Joshi, Anand D., Brooks, David H., Imada, Shinsuke, Prasad, Avijeet, Dang, Phillip, Shimizu, Toshifumi, Savage, Sabrina L., Moore, Ronald, Panesar, Navdeep K., Reep, Jeffrey W.
We have investigated an M1.3 limb flare, which develops as a magnetic loop/arch that fans out from an X-ray jet. Using Hinode/EIS, we found that the temperature increases with height to a value of over 10$^{7}$ K at the loop-top during the flare. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.09875
Autor:
Dang, Phillip, Zhang, Zexuan, Casamento, Joseph, Li, Xiang, Singhal, Jashan, Schlom, Darrell G., Ralph, Daniel C., Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep
Spin-orbit torque is a promising mechanism for writing magnetic memories, while field-effect transistors are the gold-standard device for logic operation. The spin-orbit torque field effect transistor (SOTFET) is a proposed device that couples a spin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.11715
Autor:
Li, Xiang, Dang, Phillip, Casamento, Joseph, Zhang, Zexuan, Afuye, Olalekan, Mei, Antonio B., Apsel, Alyssa B., Schlom, Darrell G., Jena, Debdeep, Ralph, Daniel C., Xing, Huili Grace
Spin-based memories are attractive for their non-volatility and high durability but provide modest resistance changes, whereas semiconductor logic transistors are capable of large resistance changes, but lack memory function with high durability. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.08133
Autor:
Jena, Debdeep, Page, Ryan, Casamento, Joseph, Dang, Phillip, Singhal, Jashan, Zhang, Zexuan, Wright, John, Khalsa, Guru, Cho, Yongjin, Xing, Huili Grace
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics 58, SC0801 (2019)
The nitride semiconductor materials GaN, AlN, and InN, and their alloys and heterostructures have been investigated extensively in the last 3 decades, leading to several technologically successful photonic and electronic devices. Just over the past f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1905.07627
Publikováno v:
In Procedia Engineering 2017 188:432-439
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/14/2019, Vol. 126 Issue 10, pN.PAG-N.PAG, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.