Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Dang, Ngoc Son"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nguyen, Hong Hanh, Jayapal, Raja, Dang, Ngoc Son, Nguyen, Van Duy, Trinh, Thanh Thuy, Jang, Kyungsoo, Yi, Junsin
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering October 2012 98:34-40
Autor:
Dang Ngoc Son, Hung Manh Chu, Le Thi Thanh Dang, Xuan Thi Chu, Duy Van Nguyen, Nguyen Quang Dich, Hugo Nguyen, Nguyen Van Hieu, Duc Hoa Nguyen
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 345:113769
Autor:
Nguyen Duc Hoa, Nguyen Van Duy, Pham Tien Hung, Nguyen Hong Hanh, Nguyen Van Hieu, Dang Ngoc Son, Lai Van Duy, Chu Manh Hung
Publikováno v:
Journal of Nanomaterials, Vol 2019 (2019)
Two-dimensional porous ZnO nanosheets were synthesized by a facile hydrothermal method for ethanol gas-sensing application. The morphology, composition, and structure of the synthesized materials were characterized by scanning electron microscopy, en
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abdul Motin Howlader, Tomonobu Senju, Hidehito Matayoshi, Takahiro Uehara, Mohamed Lotfy, Manoj Datta, Dang Ngoc Son
Publikováno v:
International Journal of Emerging Electric Power Systems. 18
In response to mounting concerns regarding environmental problem and depletion of Energy Resources, the introduction of Renewable Energy Sources (RESs), has been advancing in recent years. The system frequency deviation is a serious problem for a RES
Publikováno v:
Applied Sciences (2076-3417); Nov2020, Vol. 10 Issue 21, p7666, 22p
Autor:
Nariangadu Lakshminarayan, Dang Ngoc Son, Wonbaek Lee, Junsin Yi, Nguyen Thanh Nga, Nguyen Van Duy, Sungwook Jung
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 55:8-12
Effective memory performance of the nonvolatile memory/thin film transistor (NVM/TFT) devices needs good TFT characteristics. The reduction in leakage current of the TFT devices was accomplished with the gate offset (GOF) structure. A simplified fabr