Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Dan'kiv, O. O."'
Publikováno v:
Condens. Matter Phys., 2019, vol. 22, No. 1, 13801
In the paper, the effect of the electric field on the conditions of formation and on the period of the surface superlattice of adatoms in $n$-GaAs semiconductor is investigated. It is established that in GaAs semiconductor, an increase in the electri
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.11601
Publikováno v:
Condens. Matter Phys., 2015, vol. 18, No. 4, 43801
The theory of nucleation of nanoscale structures of the adsorbed atoms (adatoms), which occurs as a result of the self-consistent interaction of adatoms with the surface acoustic wave and electronic subsystem is developed. Temperature regimes of form
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.07801
Publikováno v:
Condens. Matter Phys., 2014, vol. 17, No. 2, 23601
Non-linear theory of diffusion of impurities in porous materials upon ultrasonic treatment is described. It is shown that at a defined value of deformation amplitude, an average concentration of vacancies and temperature as a result of the effect of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1407.2159
Publikováno v:
Physics and Chemistry of Solid State; Vol 20, No 3 (2019); 239-246
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 20, No 3 (2019); 239-246
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 20, No 3 (2019); 239-246
In the paper, the influence of the electric field and the comprehensive pressure on the conditions of formationand the period of the surface superlattice of adatoms in semiconductors is investigated. It is established that inGaAs semiconductor, an in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=vasylstefany::9b1c07dd53d603c3dc0439dd1ebf3888
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3895
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3895
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 8 (2016); 741
Український фізичний журнал; Том 61 № 8 (2016); 741
Український фізичний журнал; Том 61 № 8 (2016); 741
A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acous
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::ff4080e60c796f0df21a9d483085b7c8
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019054
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019054
Publikováno v:
Journal of Physical Studies. 2010, Vol. 14 Issue 4, p4402:1-4402:5. 5p.
Autor:
Dan'kiv, O. O.1, Peleshchak, R. M.1 peleshchak@rambler.ru
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Aug2005, Vol. 31 Issue 8, p691-694. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.