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Autor:
Dalponte, Mateus
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio em alta temp
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/15397
Autor:
Dalponte, Mateus
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as imp
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/7638
Autor:
Goncharova, Lyudmila V., Dalponte, Mateus, Celik, Ozgur, Garfunkel, Eric, Gustafsson, Torgny, Lysaght, Pat S., Bersuker, Gennadi I.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 9/26/2007, Vol. 931 Issue 1, p324-328, 5p, 1 Diagram, 3 Graphs
Publikováno v:
ECS Transactions; September 2009, Vol. 23 Issue: 1 p37-42, 6p
Publikováno v:
ECS Transactions; September 2009, Vol. 23 Issue: 1