Zobrazeno 1 - 10
of 385
pro vyhledávání: '"Dallas T"'
Autor:
Argabright, Stirling T., Visoki, Elina, Moore, Tyler M., Ryan, Dallas T., DiDomenico, Grace E., Njoroge, Wanjikũ F.M., Taylor, Jerome H., Guloksuz, Sinan, Gur, Ruben C., Gur, Raquel E., Benton, Tami D., Barzilay, Ran
Publikováno v:
In Journal of the American Academy of Child & Adolescent Psychiatry May 2022 61(5):686-697
Autor:
Park, A. W., Farrell, M. J., Schmidt, J. P., Huang, S., Dallas, T. A., Pappalardo, P., Drake, J. M., Stephens, P. R., Poulin, R., Nunn, C. L., Davies, T. J.
Publikováno v:
Proceedings: Biological Sciences, 2018 Mar . 285(1874), 1-8.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26545094
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:5683-5688
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bullard, Dallas T.
Publikováno v:
Berkeley Technology Law Journal, 2015 Jan 01. 30(4), 899-932.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26377744
Autor:
Cheryl A. Stellman, Michael J. Westphal, Stephen B. Bayne, Madankumar Sampath, James A. Cooper, Dallas T. Morisette, John A. Ransom, Clinton H. Anderson
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:4577-4581
We introduce the concept of constant-gate-charge scaling to increase the short-circuit withstand time of SiC power MOSFETs without increasing their ON-state resistance, gate charge, or oxide field. In gate-charge scaling, we scale the oxide thickness
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 42:90-93
The tri-gate MOSFET is a vertical power transistor with multiple sub-micron FinFET channels. The FinFET structure increases the current-carrying width of the MOS inversion layer without increasing the device area, thereby reducing the specific channe