Zobrazeno 1 - 10
of 91
pro vyhledávání: '"Dai, Fengwei"'
Development of silicon interposer: towards an ultralow radioactivity background photodetector system
Autor:
Yang, Haibo, Wang, Qidong, Cao, Guofu, Melby, Kali M., Harouaka, Khadouja, Arnquist, Isaac J., Dai, Fengwei, Cao, Liqiang, Wen, Liangjian
It is of great importance to develop a photodetector system with an ultralow radioactivity background in rare event searches. Silicon photomultipliers (SiPMs) and application-specific integrated circuits (ASICs) are two ideal candidates for low backg
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2207.09174
Publikováno v:
In Journal of Molecular Structure 15 August 2024 1310
Publikováno v:
Microelectronics International, 2023, Vol. 40, Issue 2, pp. 81-88.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/MI-07-2022-0139
Publikováno v:
In Chemical Engineering Science 12 October 2022 260
Publikováno v:
Energy Exploration & Exploitation, 2020 Jul 01. 38(4), 1159-1177.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26966878
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Su, Meiying, Yu, Daquan, Liu, Yijun, Wan, Lixi, Song, Chongshen, Dai, Fengwei, Xue, Kai, Jing, Xiangmeng, Guidotti, Daniel
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 January 2014 550:259-263