Zobrazeno 1 - 10
of 155
pro vyhledávání: '"Dahlstrom, M."'
Publikováno v:
SAE Transactions, 2000 Jan 01. 109, 2875-2885.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/44746077
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2002 46(10):1541-1544
Publikováno v:
Molecular Psychiatry. 2000, Vol. 5 Issue 5, p514. 9p.
Publikováno v:
SAE Transactions, 1987 Jan 01. 96, 749-760.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/44469182
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Griffith, Zach, Dahlstrom, M, Rodwell, MJW, Fang, X M, Lubyshev, D, Wu, Y, Fastenau, J M, Liu, W K
Publikováno v:
Griffith, Zach; Dahlstrom, M; Rodwell, MJW; Fang, X M; Lubyshev, D; Wu, Y; et al.(2005). InGaAs-InP DHBTs for increased digital IC bandwidth having a 391-GHz f(T) and 505-GHz f max. IEEE Electron Device Letters, 26(1), 11-13. UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/3jb3n053
InP-In0.53Ga0.47As-InP double heterojunction bipolar transistors (DHBT) have been designed for use in high bandwidth digital and analog circuits, and fabricated using a conventional mesa structure. These devices exhibit a maximum 391-GHz f(t), and 50
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::9efefd25cf3feb7914682bacfa470741
http://www.escholarship.org/uc/item/3jb3n053
http://www.escholarship.org/uc/item/3jb3n053
Publikováno v:
Griffith, Zach; Kim, Y; Dahlstrom, M; Ard, ACG; & Rodwell, MJW. (2004). InGaAs-InP metamorphic DHBTs grown on GaAs with lattice-matched device performance and f(T), f(max) > 268 GHz. IEEE Electron Device Letters, 25(10), 675-677. UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/9h51m95m
InP-In0.53Ga0.47As-InP double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) were grown on a GaAs substrate using a metamorphic buffer layer and then fabricated. The metamorphic buffer layer is InP--employed because of its high thermal conductivity to mi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::ad80f3f63448fbde5f65fe72a28ff78b
http://www.escholarship.org/uc/item/9h51m95m
http://www.escholarship.org/uc/item/9h51m95m
Autor:
Griffith, Zach, Dahlstrom, M, Urteaga, M, Rodwell, MJW, Fang, X M, Lubysbev, D, Wu, Y, Fastenau, J M, Liu, W K
Publikováno v:
Griffith, Zach; Dahlstrom, M; Urteaga, M; Rodwell, MJW; Fang, X M; Lubysbev, D; et al.(2004). InGaAs-InP mesa DHBTs with simultaneously high f(T) and f(max) and low C-cb/I-c ratio. IEEE Electron Device Letters, 25(5), 250-252. UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/19d4798x
We report an InP-InGaAs-InP double heterojunction bipolar transistor (DHBT), fabricated using a conventional triple mesa structure, exhibiting a 370-GHz f(t) and 459-GHz f(max), which is to our knowledge the highest f(tau)reported for a mesa InP DHBT
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::93e83620f3ec6a8b8b686c355fa93f52
http://www.escholarship.org/uc/item/19d4798x
http://www.escholarship.org/uc/item/19d4798x
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Peng Cheng, Dahlstrom, M., Qizhi Liu, Gray, P., Adkisson, J., Zetterlund, B., Pekarik, J., Camillo-Castillo, R., Radic, L., Ellis-Monaghan, J., Harame, D.
Publikováno v:
2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (BCTM); 2011, p154-157, 4p