Zobrazeno 1 - 10 of 177 pro vyhledávání: '"DX centers (Solid state physics)"'
1
Akademický článek
Evidence of three DX centers in Al[sub 0.28]Ga[sub 0.72]As:Si from Hall experiments.
Autor: Triki, A., Rziga-Ouaja, F., Mejri, H., Selmi, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 6/15/2003, Vol. 93 Issue 12, p9769. 4p. 3 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Fine structure of Dx(Sn) centers in AlxGa1-xAs.
Autor: Zhan, H.H., Kang, J.Y., Wu, Z.Y., Huang, Q.S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 9/1/1998, Vol. 84 Issue 5, p2497. 4p. 2 Diagrams, 6 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The effect of an asymmetric band of localized deep donors on the electronic transport of...
Autor: Benzaquen, R., Benzaquen, M., Leonelli, R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 12/1/1997, Vol. 82 Issue 11, p5526. 6p. 3 Charts, 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effects of the DX center multiplicity on the transport properties of AlxGa1-xAs:Si.
Autor: Ouaja, F. Rziga, Mejri, H., Selmi, A., Gibart, P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 12/1/1997, Vol. 82 Issue 11, p5509. 4p. 6 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Detailed electrical characterization of DX centers in Se-doped AlxGa1-xAs.
Autor: Duenas, S., Pinacho, R., Castán, E., Quintanilla, L., Peláez, R., Barbolla, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 11/1/1997, Vol. 82 Issue 9, p4338. 8p. 2 Diagrams, 14 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
The EL2-like metastable defect and the n- to p-type transition in silicon planar-doped GaAs.
Autor: da Silva, M.I.N., de Oliveira, A.G., Ribeiro, G. M., Rubinger, R. M., Corrêa, J. A., Baeta Moreira, M. V.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 10/1/1997, Vol. 82 Issue 7, p3346. 5p. 1 Chart, 6 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Photoluminescence of the Se and Si DX centers in (AlxGa1-x)0.5In0.5P...
Autor: Kun-Jing Lee, Chen, H.K., Chen, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 8/1/1997, Vol. 82 Issue 3, p1350. 5p. 8 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Evidence for screening effects on the 1/f current noise in GaAs/AlGaAs modulation doped field effect transistors.
Autor: Py, M. A., Buehlmann, H.-J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 8/1/1996, Vol. 80 Issue 3, p1583. 11p. 1 Diagram, 2 Charts, 12 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Techniques to minimize DX center deleterious effects in III-V device performance.
Autor: Muñoz, E., Calleja, E., Izpura, I., García, F., Romero, A. L., Sánchez-Rojas, J. L., Powell, A. L., Castagné, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 5/15/1993, Vol. 73 Issue 10, p4988. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Uniaxial stress dependence of the properties of the DX center in n-Al0.32Ga0.68As.
Autor: Wang, Zhiguo, Chung, Ki-woong, Miller, T., Williamson, F., Nathan, M. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 2/15/1992, Vol. 71 Issue 4, p1802. 5p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje