Zobrazeno 1 - 10
of 220
pro vyhledávání: '"DUBOST, V."'
Autor:
Noat, Y., Cren, T., Dubost, V., Lange, S., Debontridder, F., Marcus, J., Toulemonde, P., Sacks, W., Roditchev, D.
We present the synthesis and the tunneling spectroscopy study of superconducting FeSe0.5Te0.5 (Tc = 14 K), SmFeAsO0.85 (Tc = 45 K) and SmFeAsO0.9F0.1 (Tc = 52 K). The samples were characterized by Rietveld refinement of X-ray diffraction patterns and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1007.3151
Autor:
Vaju, C., Cario, L., Corraze, B., Janod, E., Dubost, V., Cren, T., Roditchev, D., Braithwaite, D., Chauvet, O.
Publikováno v:
Advanced Materials 20, 2760-2765 (2008)
Metal-insulator transitions (MIT) belong to a class of fascinating physical phenomena, which includes superconductivity, and colossal magnetoresistance (CMR), that are associated with drastic modifications of electrical resistance. In transition meta
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0909.1978
Autor:
Bergeal, N., Dubost, V., Noat, Y., Sacks, W., Roditchev, D., Emery, N., Herold, C., Mareche, J-F., Lagrange, P., Loupias, G.
We present scanning tunneling microscopy and spectroscopy of the newly discovered superconductor CaC$_6$. The tunneling conductance spectra, measured between 3 K and 15 K, show a clear superconducting gap in the quasiparticle density of states. The g
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0604208
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bozhko, S.I., Ksenz, A.S., Ionov, A.M., Fokin, D.A., Dubost, V., Debontridder, F., Cren, T., Roditchev, D.
Publikováno v:
In Physics Procedia 2015 71:332-336
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In The Journal of nutrition, health and aging January 2011 15(1):79-84
Autor:
Vaju, C., Cario, L., Corraze, B., Janod, E., Dubost, V., Cren, T., Roditchev, D., Braithwaite, D., Chauvet, O.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2008 85(12):2430-2433
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.