Zobrazeno 1 - 10
of 100
pro vyhledávání: '"DNU"'
Autor:
Pavan Kumar Mukku, Rohit Lorenzo
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 96256-96271 (2023)
Deep sub-micron memory devices play a crucial role in space electronic applications due to their susceptibility to single-event upset and double-node upset types of soft errors. When a charged particle from space hit a scaled memory circuit, the crit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8e2ab40adb8449e4acdc9c83bb8a0376
Autor:
Seyedehsomayeh Hatefinasab, Alfredo Medina-Garcia, Diego P. Morales, Encarnacion Castillo, Noel Rodriguez
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 1732-1741 (2023)
This paper presents a low-cost, self-recoverable, double-node upset tolerant latch aiming at nourishing the lack of these devices in the state of the art, especially featuring self-recoverability while maintaining a low-cost profile. Thus, this D-lat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a90355cff9a44b3d9a2706a4eff1e9b7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alok Kumar Shukla, Seema Dhull, Arshid Nisar, Sandeep Soni, Namita Bindal, Brajesh Kumar Kaushik
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Nanotechnology, Vol 3, Pp 78-84 (2022)
The rapid transistor scaling and threshold voltage reduction pose several challenges such as high leakage current and reliability issues. These challenges also make VLSI circuits more susceptible to soft-errors, particularly when subjected to harsh e
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb7169814ed14395b7ddaa52bc01f531
Autor:
Susana Parés
Publikováno v:
Anales, Iss 52 (2022)
La pandemia, en la República Argentina, significó la utilización de los Decretos de Necesidad y Urgencia que restringieron derechos y libertades. El PEN utilizó como fundamento de estos la ley 27561, los indicadores y los parámetros, evidenciand
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c0da57c4e234f2bb0984d60b25d8d93
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics
Volume 12
Issue 5
Pages: 1193
Volume 12
Issue 5
Pages: 1193
This paper presents a novel double node upset (DNU) self-recoverable and single event transient (SET) pulse filterable latch design in 28 nm CMOS technology. The loop structure formed by C-elements (CEs) ensures that the latch can self-recover from t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::47b34c7ad984809fcc5cb3a05fe5a6ae
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.