Výsledky vyhledávání

Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

Autor: P. Vigneshwara Raja, Christophe Raynaud, Camille Sonneville, Atse Julien Eric N'Dohi, Hervé Morel, Luong Viet Phung, Thi Huong Ngo, Philippe De Mierry, Eric Frayssinet, Hassan Maher, Josiane Tasselli, Karine Isoird, Frédéric Morancho, Yvon Cordier, Dominique Planson

Publikováno v: Microelectronics Journal
Microelectronics Journal, 2022, 128, pp.105575. ⟨10.1016/j.mejo.2022.105575⟩

International audience; This paper reports comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes (SBDs) fabricated on free-standing GaN substrates. The GaN active layer properties are evaluated by atomic force microscopy (AFM)

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e5b1096780a672ef94e9ef4adf2c4724
https://hal.science/hal-03826217/document

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Characterization of defect states in Mg-doped GaN-on-Si p + n diodes using deep-level transient Fourier spectroscopy

Autor: Bruno Guillet, Laurence Méchin, Y. Lechaux, Albert Minj, Karen Geens, Eddy Simoen, Ming Zhao, Hu Liang

Publikováno v: Semiconductor Science and Technology
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2020, 36 (2), pp.024002. ⟨10.1088/1361-6641/abcb19⟩

Mg-doped GaN-on-Si p+n diodes have been fabricated and characterized by static electrical and deep-level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) measurements. From static capacitance-voltage (C–V) and current–voltage (I–V) characteristics, we es

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d0603bb67ff7b66c132a187f73d53d1a
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-03070693/document

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Electronic transport properties of wide band gap semiconductors for the application in power electronics

Autor: Rönsch, Sebastian

In dieser Arbeit wurden zwei Halbleiter mit großer Bandlücke, Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC), charakterisiert. Dabei lag ein Schwerpunkt auf deren Anwendung in der Leistungselektronik. Es wurden die elektrisch aktiven tiefen Zustände

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::6b7ac91b8d911b70579d4a4d8691ce7f
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/6202/SebastianRoenschDissertation.pdf

Zobrazit plný text záznamu

Deep levels in GaInNAs grown by molecular beam epitaxy and their concentration reduction with annealing treatment

Autor: V.T. Rangel-Kuoppa, J. Dekker

Publikováno v: Rangel-Kuoppa, V T & Dekker, J 2006, ' Deep levels in GaInNAs grown by molecular beam epitaxy and their concentration reduction with annealing treatment ', Journal of Materials Science and Engineering B, vol. 129, no. 1-3, pp. 222-227 . https://doi.org/10.1016/j.mseb.2006.01.017

Deep-level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) technique is used to investigate the thermal-annealing behaviour of at least five deep levels in two samples of Ga0.987In0.013N0.0043As0.9957, one medium doped with Si (2 × 1016 cm−3) and the secon

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::619ee47f7a73665924b1fc8ea94483b6
https://cris.vtt.fi/en/publications/9e8421de-50e6-461a-a312-f4eab196a45e

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání