Zobrazeno 1 - 10
of 104
pro vyhledávání: '"DIVACANCIES"'
Autor:
N. A. Poklonski, A. I. Kovalev, K. V. Usenko, E. A. Ermakova, N. I. Gorbachuk, S. B. Lastovski
Publikováno v:
Pribory i Metody Izmerenij, Vol 14, Iss 1, Pp 38-43 (2023)
In silicon microelectronics, flat metal spirals are formed to create an integrated inductance. However, the maximum specific inductance of such spirals at low frequencies is limited to a value of the order of tens of microhenries per square centimete
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b467361c5fc34f5e9543b95ba56d7e99
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Davidsson, Joel
In quantum technologies, point defects in semiconductors are becoming more significant. Understanding the frequency, intensity, and polarization of the zero phonon line is important. The last two properties are the subject of this paper. I present a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ba651f6ec564002e5698d571152722a2
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-172513
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-172513
Autor:
Maciej Oskar Liedke, Mohamed Elsayed, Simone Assali, Maik Butterling, Andreas Wagner, Jérôme Nicolas, Reinhard Krause-Rehberg, Oussama Moutanabbir
Publikováno v:
Applied Physics Letters 114(2019), 251907
Understanding the nature and behavior of vacancy-like defects in epitaxial GeSn metastable alloys is crucial to elucidate the structural and optoelectronic properties of these emerging semiconductors. The formation of vacancies and their complexes is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b5347295b451bfd201223bdf3eebade7
https://doi.org/10.1063/1.5108878
https://doi.org/10.1063/1.5108878
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Kokkoris, Eddy Simoen, Paul Clauws, C. Claeys, E. Kossionides, V Privitera, S Coffa, G. Fanourakis, A. Nylandsted Larsen
Publikováno v:
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms
186 (2002): 19–23. doi:10.1016/S0168-583X(01)00911-9
info:cnr-pdr/source/autori:Simoen E., Claeys C., Privitera V., Coffa S., Kokkoris M., Kossionides E., Fanourakis G., Larsen A.N., Clauws P./titolo:DLTS and PL studies of proton radiation defects in tin-doped FZ silicon/doi:10.1016%2FS0168-583X(01)00911-9/rivista:Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Print)/anno:2002/pagina_da:19/pagina_a:23/intervallo_pagine:19–23/volume:186
186 (2002): 19–23. doi:10.1016/S0168-583X(01)00911-9
info:cnr-pdr/source/autori:Simoen E., Claeys C., Privitera V., Coffa S., Kokkoris M., Kossionides E., Fanourakis G., Larsen A.N., Clauws P./titolo:DLTS and PL studies of proton radiation defects in tin-doped FZ silicon/doi:10.1016%2FS0168-583X(01)00911-9/rivista:Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Print)/anno:2002/pagina_da:19/pagina_a:23/intervallo_pagine:19–23/volume:186
In this paper, deep level transient spectroscopy (DLTS) is applied to study the deep levels in tin-doped and high-energy proton irradiated n-type float-zone (FZ) silicon. The results will be compared with irradiated tin-free FZ reference material, in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f75adba3e60246e9886f5a7a43aa68c2
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(01)00911-9
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(01)00911-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.