Zobrazeno 1 - 10
of 2 087
pro vyhledávání: '"DIBL effect"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 13, Iss 10, p 6131 (2023)
In this paper, degradation effects, such as self-heating effect (SHE) and drain-induced barrier lowering (DIBL) effect in 2D MoS2-based MOSFETs are investigated through simulations. The SHE is simulated based on the thermodynamic transport model. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6009772bb97c4ff69bbf092bf3c7c168
Autor:
Huang, Weixing, Zhu, Huilong, Zhang, Yongkui, Wu, Zhenhua, Jia, Kunpeng, Yin, Xiaogen, Li, Yangyang, Li, Chen, Ai, Xuezheng, Huo, Qiang, Li, Junfeng
Publikováno v:
In Microelectronics Journal August 2021 114
Autor:
Weixing Huang, Huilong Zhu, Zhenhua Wu, Xiaogen Yin, Qiang Huo, Kunpeng Jia, Yangyang Li, Yongkui Zhang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 879-884 (2020)
In this study, the negative DIBL (N-DIBL), negative differential resistance (NDR), and Miller effect of a negative capacitance nanowire filed-effect-transistor (negative capacitance (NC) NWFET) were analyzed by employing the custom-built SPICE model.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/307c1eaab704467ba5f2bf88741a7fbc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures December 2016 100:1230-1237
Publikováno v:
ECS Transactions. 111:291-296
This work compares the Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) effect in SOI nanowire transistors. The fin width, length, and temperature influence are experimentally evaluated for junctionless (JL) and inversion mode (IM) nanowire transistors. The res
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ce39c271a12aca87cba2e621a7cf6fb
https://doi.org/10.1149/11101.0291ecst
https://doi.org/10.1149/11101.0291ecst