Zobrazeno 1 - 10
of 523
pro vyhledávání: '"DG MOSFET"'
Autor:
P. S. Rajakumar, S. Satheesh Kumar
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 154760-154777 (2024)
Due to the constant scaling of device sizes and the arrival of nanoscale technologies, Single-Event Transients (SETs) are becoming an increasingly important problem in the design and reliability evaluation of semiconductor devices. This paper extensi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3b4962192f0648a89625c361e9f6c586
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 116059-116068 (2022)
The semiconductors with nanometer-scale are subjected to various patterns and scaling using the latest technology. The most widely used methods are top-down approaches in the design of complex heterostructures. The top-down approach involves the phot
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d7d8536970dc4258aea0d7992376f5ec
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 89234-89242 (2021)
The advancements in semiconductor technology greatly impact the growth of hybrid VLSI devices and components. The nanometer technology has been possibly executed due to the enhancement of the scaling factor of the MOSFETs. Since the MOSFETs play a vi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/327cd1121a0c46c781b985a5ec79c694
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 159421-159431 (2021)
Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFETs have been designed for a suitable CMOS replacement to diminish the power and area tradeoff. With these MOSFETs below 70 nm node for Semiconductor Industry Association (SIA) roadmap, the CMOS technolo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a7069eb3075648e08e9634d704869d17
Autor:
Dibyendu Chowdhury, Bishnu Prasad De, Bhargav Appasani, Navaneet Kumar Singh, Rajib Kar, Durbadal Mandal, Nicu Bizon, Phatiphat Thounthong
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 6, p 2953 (2023)
In this article, the performance of n-type junctionless (JL) double-gate (DG) MOSFET-based biosensors with and without gate stack (GS) has been studied. Here, the dielectric modulation (DM) method is applied to detect biomolecules in the cavity. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6d6f8a8db91a4f40b7eb7afc7766607a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IET Circuits, Devices and Systems, Vol 11, Iss 6, Pp 618-623 (2017)
In this study, the authors focus mainly on the investigation of Kriging interpolation method to elaborate surrogate models of the nanoscale double‐gate metal oxide silicon field effect transistors (DG MOSFET) analogue/RF performance under critical
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b95facf41fa243299d6ceebf34371ece