Zobrazeno 1 - 10
of 4 375
pro vyhledávání: '"DETAILED ELECTRICAL"'
Autor:
Kim, Donghyun, Theodorou, C., Chanuel, A., Gobil, Y., Charles, M., Morvan, E., Woo Lee, Jae, Mouis, M., Ghibaudo, G.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2022 197
Autor:
Frank, Stephen1 (AUTHOR) stephen.frank@nrel.gov, Ball, Brian1 (AUTHOR) brian.ball@nrel.gov, Gerber, Daniel L.2 (AUTHOR) dgerb@lbl.gov, Cu, Khanh1 (AUTHOR) khanhnguyen.cu@nrel.gov, Othee, Avpreet3 (AUTHOR) avpreetsingh@hotmail.com, Shackelford, Jordan2 (AUTHOR) jshackelford@lbl.gov, Ghatpande, Omkar1 (AUTHOR) omkar.ghatpande@nrel.gov, Brown, Richard2 (AUTHOR) rebrown@lbl.gov, Cale, James3 (AUTHOR) james.cale@colostate.edu
Publikováno v:
Energies (19961073). Sep2023, Vol. 16 Issue 17, p6284. 18p.
Autor:
Stephen Frank, Brian Ball, Daniel L. Gerber, Khanh Cu, Avpreet Othee, Jordan Shackelford, Omkar Ghatpande, Richard Brown, James Cale
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 17, p 6284 (2023)
This article describes recent co-simulation advances for the simultaneous modeling of detailed building electrical distribution systems and whole-building energy performance. The co-simulation architecture combines the EnergyPlus® engine for whole-b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83d5570ac4c848a0b03281fbb146a051
Publikováno v:
In Ceramics International April 2016 42(5):5873-5884
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2023 17th European Conference on Antennas and Propagation (EuCAP).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ede058a721619581505bfe6a5829275
https://doi.org/10.23919/eucap57121.2023.10133090
https://doi.org/10.23919/eucap57121.2023.10133090
Autor:
Donghyun Kim, C. Theodorou, A. Chanuel, Y. Gobil, M. Charles, E. Morvan, Jae Woo Lee, M. Mouis, G. Ghibaudo
Publikováno v:
Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 2022, 197, pp.108448. ⟨10.1016/j.sse.2022.108448⟩
Solid-State Electronics, 2022, 197, pp.108448. ⟨10.1016/j.sse.2022.108448⟩
International audience; A detailed electrical characterization and transistor parameter extraction on 200mm CMOS compatible GaN/Si HEMTs was performed down to deep cryogenic temperatures. The main transistor parameters (threshold voltage Vth, low-fie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::768c58d787ced59bfdd936ac0949ab59
https://hal.science/hal-03769945/document
https://hal.science/hal-03769945/document
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.